單晶硅基于 MEMS（微機電）技術的壓力傳感器，它是建立在微米/納米基礎上，在單晶硅片上刻融制作惠斯登電橋（Wheatstone bridge）組成的硅應變計，經500℃以上高溫熔化玻璃，將硅應變片燒結在17－4PH不銹鋼傳感彈性體上，彈性體受壓變形后產生電信號，由帶微處理器的數字補償放大電路進行放大，經數字軟件進行全智能溫度補償，輸出標準信號。在標準凈化生產過程中，參數嚴格受控，避免了溫度、濕度及機械疲勞的影響，具有頻響高、工作溫度寬等特點，保證了傳感器在工業(yè)惡劣環(huán)境中使用的長期穩(wěn)定性。

　　壓電壓力傳感器原理

　　壓電壓力傳感器中主要使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英（二氧化硅）是一種天然晶體，壓電效應就是在這種晶體中發(fā)現的，在一定的溫度范圍之內，壓電性質一直存在，但溫度超過這個范圍之后，壓電性質完全消失（這個高溫就是所謂的“居里點”）。

　　壓電效應是壓電傳感器的主要工作原理，壓電傳感器不能用于靜態(tài)測量，因為經過外力作用后的電荷，只有在回路具有無限大的輸入阻抗時才得到保存。實際的情況不是這樣的，所以這決定了壓電傳感器只能夠測量動態(tài)的應力。

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