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- 硅壓力傳感器存在的一些技術(shù)問題
- 來源:賽斯維傳感器網(wǎng) 發(fā)表于 2013/7/16
在汽車車用壓力傳感器、氣壓計(jì)、醫(yī)療設(shè)備、風(fēng)力控制、空氣流量計(jì)、呼吸器和通風(fēng)機(jī)等方面硅壓力傳感器都有著廣泛的應(yīng)用。溫度對(duì)硅壓力傳感器芯片的影響非常大,主要是影響零點(diǎn)和靈敏度,產(chǎn)生漂移的根本原因在:在工藝制作中,組成惠斯登電橋的四個(gè)電阻條的表面摻雜濃度和擴(kuò)散電阻條寬度不可能完全一致,致使四個(gè)電阻的阻值不完全相等,溫度系數(shù)不相等,導(dǎo)致當(dāng)輸入壓力為0時(shí),電橋輸出不為0,同時(shí)該輸出隨溫度的變化而發(fā)生漂移,即零點(diǎn)溫度漂移;半導(dǎo)體的溫度特性導(dǎo)致壓阻系數(shù)隨溫度變化,導(dǎo)致壓力靈敏也隨溫度發(fā)生漂移。此外,后道工序的芯片與玻璃的靜電封裝、粘接、硅油及容腔設(shè)計(jì)等都會(huì)附加溫度影響。綜上因素,對(duì)封裝后的壓力傳感器的補(bǔ)償包括零點(diǎn)偏移校準(zhǔn)、零點(diǎn)溫度漂移補(bǔ)償和靈敏度溫度補(bǔ)償。
一般是在壓阻式壓力傳感器橋臂串并聯(lián)電阻或者熱敏電阻等方法來實(shí)現(xiàn)對(duì)已經(jīng)封裝好的壓阻式壓力傳感器的溫度補(bǔ)償。而這種方法的缺陷是只能用于精度較低的場合。由于補(bǔ)償電阻與壓力傳感器中惠斯登電橋的電阻系數(shù)不一致,測試也比較困難,所以無論哪種溫度補(bǔ)償方式都無法達(dá)到良好的效果,對(duì)于要求較高的應(yīng)用領(lǐng)域這些補(bǔ)償方法很難實(shí)現(xiàn)。因此,壓力傳感器的溫度補(bǔ)償一直是困擾用戶的難題所在,也是壓力傳感器研究和生產(chǎn)的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問題。
其次是微壓、低壓傳感器的制造技術(shù)和工藝比較高,所涉及到的制造設(shè)備非常昂貴,F(xiàn)在市面低壓量程壓力傳感器比較少,價(jià)格不菲。與之相反,高壓量程的壓力傳感器的制造成本卻比較低。所以,微壓、低壓傳感器的精度和價(jià)格也是用戶所擔(dān)憂的問題。
最后是壓力傳感器晶圓的封裝技術(shù)已經(jīng)成為生產(chǎn)中的瓶頸。因此,壓力傳感器的封裝是否可靠也是用戶憂慮所在。 現(xiàn)在越來越多客戶傾向于選擇電容式的壓力傳感器。
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